ＷＥ４０８Ａハイブリッドヘッドフォンアンプ（３） ― 2012/06/04 20:07
現在ＷＥ４０８Ａハイブリッドヘッドフォンアンプを製作するための予備実験を実施しています。
オリジナルの１９Ｊ６ハイブリッド・ヘッドフォンアンプ(The "Starving Student" hybrid headphone amplifier)は、いちおうＦＥＴの品種は何でも良い事になっているのですが。。。（汗
細かい話で恐縮ですけど、厳密に言えば、ＦＥＴ品種とアイドリング電流の値によってゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)が異なるので、ＷＥ４０８Ａをヒーター点火する電圧が、Ｖ(GS)の値によって変化します。
通常、ＦＥＴの回路においてゲート電圧とソース電圧を決定するのに、ゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)が必要ですので、これが判らないと設計できなかったりします。
それで、Ｖ(GS)はいくつなの？と誰しも思うのですけど、前述のとおり、ＦＥＴ品種とアイドリング電流の値によってゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)が異なるので、ぶっちゃけ、実測してみるしかありません。
最初は、ぶっつけ本番でアンプを組んで、後日に手直ししようと考えたのですけど、それも面倒だと考え直して、あらかじめ回路を組んで予備実験する事にした次第です。
結局、ブレッドボード上に、片チャンネル分の直流回路だけを組んで、ＦＥＴゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)を実測しました。
オリジナルの１９Ｊ６ハイブリッド・ヘッドフォンアンプ(The "Starving Student" hybrid headphone amplifier)は、いちおうＦＥＴの品種は何でも良い事になっているのですが。。。（汗
細かい話で恐縮ですけど、厳密に言えば、ＦＥＴ品種とアイドリング電流の値によってゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)が異なるので、ＷＥ４０８Ａをヒーター点火する電圧が、Ｖ(GS)の値によって変化します。
通常、ＦＥＴの回路においてゲート電圧とソース電圧を決定するのに、ゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)が必要ですので、これが判らないと設計できなかったりします。
それで、Ｖ(GS)はいくつなの？と誰しも思うのですけど、前述のとおり、ＦＥＴ品種とアイドリング電流の値によってゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)が異なるので、ぶっちゃけ、実測してみるしかありません。
最初は、ぶっつけ本番でアンプを組んで、後日に手直ししようと考えたのですけど、それも面倒だと考え直して、あらかじめ回路を組んで予備実験する事にした次第です。
結局、ブレッドボード上に、片チャンネル分の直流回路だけを組んで、ＦＥＴゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)を実測しました。
WE408A hybrid Headphone Amplifier 予備実験
パナソニック（松下）２ＳＫ７６２Ａのゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)は、アイドリング電流５０ｍＡ時、おおよそ３Ｖ（実測２．９Ｖ）である事が判明しました。
パナソニック（松下）２ＳＫ７６２Ａのゲート・ソース間電圧＝Ｖ(GS)は、アイドリング電流５０ｍＡ時、おおよそ３Ｖ（実測２．９Ｖ）である事が判明しました。
WE408A hybrid Headphone Amplifier 予備実験
つまり、ＦＥＴのゲート電圧は、固定バイアスにより供給電圧４８Ｖの半分の２４Ｖに設定されていますので、ソース電圧は、
２４Ｖ－３Ｖ【Ｖ(GS)】＝２１Ｖ
となって、つまり設計上はＷＥ４０８Ａのヒーターを２１Ｖ点火するという事になります。
実回路ヒーター両端の電圧値を実際に計測してみましたところ、実測値は、２０．５Ｖでした。その時のヒーター電流は約５０ｍＡでした。
おおよそ設計に必要なデータは収集できたので、これから実際にアンプを製作していこうと思います。
ＷＥ４０８Ａハイブリッドヘッドフォンアンプの完成を楽しみにされている方には申し訳ありませんが、そういう事情ですので、もうしばらくお待ちください。。。。（汗
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