ＦＥＴハイブリッドμフォロワ・ヘッドフォンアンプ（２） ― 2012/01/06 21:15
前回掲載した、ハイブリットμフォロワＥ９０ＣＣヘッドフォンアンプの回路図ですけど。。。
ＦＥＴドレン電圧が１５７Ｖの設計値に対して、実測値１６４．１Ｖですから、ちょっと高めに出ています。
これは電源トランスの出力電圧を、×１．２４倍の１８６Ｖと予想して設計した為です。
実機を実測したところ、×１．３倍の１９５Ｖの電圧が出ていたので、電源部のドレン電圧調整用の抵抗を変更する予定です。
電源の抵抗は、
１９５Ｖ－１５７Ｖ＝３８Ｖ
３８Ｖ÷０．０４６８Ａ＝８１２Ω およそ３９０Ωを２個でしょうか？
ＦＥＴドレン電圧が１５７Ｖの設計値に対して、実測値１６４．１Ｖですから、ちょっと高めに出ています。
これは電源トランスの出力電圧を、×１．２４倍の１８６Ｖと予想して設計した為です。
実機を実測したところ、×１．３倍の１９５Ｖの電圧が出ていたので、電源部のドレン電圧調整用の抵抗を変更する予定です。
電源の抵抗は、
１９５Ｖ－１５７Ｖ＝３８Ｖ
３８Ｖ÷０．０４６８Ａ＝８１２Ω およそ３９０Ωを２個でしょうか？
実は、現在、２台目の試作初号機を製作しています。
（ おい。。。(^_^; ）
１台目の試作零号機の製作で、アンプ設計のやり方を実感しました。
ゲート・ソース間電圧を実測して、Ｖ(GS)＝４．５Ｖと判明しましたし。。。
試作初号機に使用する電源トランスは、春日無線の B6S12WCD です。
真空管は、Ｅ１８２ＣＣ（７１１９）です。
いちおう６Ｎ６Ｐでも使用できるように設計しました。
ピンアサインが異なるので差し替えは出来ませんが、動作点を近似させる事ができたので、同じ回路で６Ｎ６Ｐでも使用できるかもしれません。
実際は、ソケットアダプターを製作して実機に挿してみないと何ともいえませんが。。。（汗
Ｅ１８２ＣＣ、６Ｎ６Ｐは、内部に２つあるユニットを、それぞれ右チャンネル／左チャンネルに振り分けるので、使用する真空管は一本のみです。
いちおう、この土日で試作初号機を完成させたいと思っています。（＾Ｏ＾）
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