Mullard EL32 真空管 自作ハイブリッドμ（ミュー）フォロワ・ヘッドフォンアンプ ～秋月２４Ｖ・ＡＣアダプター（５） ― 2014/03/09 16:49
さて、“ＥＬ３２／１６２６差し換え可能～μフォロワ・ハイブリッドヘッドフォンアンプ”のエージングが、ある程度進行したので回路の電圧値を測定しました。
EL32 / 1626 Mu Follower hybrid Headphone Amplifier (Tube Headphone Amplifier) Ver.08 circuit 回路図と各部の電圧値
ついでに、サクッと矩形波を入れて、オシロスコープで波形を観測してみました。
ついでに、サクッと矩形波を入れて、オシロスコープで波形を観測してみました。
Output Voltage measured on Oscilloscope ( Load resistor 8 ohm )
EL32 / 1626 Mu Follower hybrid Headphone Amplifier (Tube Headphone Amplifier)
EL32 / 1626 Mu Follower hybrid Headphone Amplifier (Tube Headphone Amplifier)
1626 Output Voltage measured on Oscilloscope ( Load resistor 8 ohm ) EL32 / 1626 Mu Follower hybrid Headphone Amplifier (Tube Headphone Amplifier) Ver.08 負荷 ８Ω 周波数 １ｋＨｚ
1626
Output Voltage measured on Oscilloscope ( Load resistor 8 ohm ) EL32 /
1626 Mu Follower hybrid Headphone Amplifier (Tube Headphone Amplifier)
Ver.08 負荷 ８Ω 周波数 １０ｋＨｚ
1626
Output Voltage measured on Oscilloscope ( Load resistor 8 ohm ) EL32 /
1626 Mu Follower hybrid Headphone Amplifier (Tube Headphone Amplifier)
Ver.08 負荷 ８Ω 周波数 ２０ｋＨｚ
1626
Output Voltage measured on Oscilloscope ( Load resistor 8 ohm ) EL32 /
1626 Mu Follower hybrid Headphone Amplifier (Tube Headphone Amplifier)
Ver.08 負荷 ８Ω 周波数 ３０ｋＨｚ
1626
Output Voltage measured on Oscilloscope ( Load resistor 8 ohm ) EL32 /
1626 Mu Follower hybrid Headphone Amplifier (Tube Headphone Amplifier)
Ver.08 負荷 ８Ω 周波数 ５０ｋＨｚ
オシロスコープの波形を見ると、以前に製作した、
JJ ECC802S真空管ハイブリッドヘッドフォンアンプ で計測した波形
http://valvolerosso.asablo.jp/blog/2014/01/19/7197869
よりも、高域が落ちてるようです。
波形のカタチが、
JJ ECC802S 100kHz → 1626 50kHz
JJ ECC802S 70kHz → 1626 30kHz
みたいな雰囲気ですので、ざっくり言って高域のカットオフ周波数が半分になってるイメージでしょうか？
この原因は、μフォロワによって負荷抵抗値が無限大になった事により、出力インピーダンスが大きくなった為と推察されます。
例えば、真空管の内部抵抗が10Kで、負荷抵抗が10Kなら、出力インピーダンスは5Kですけど、内部抵抗が10Kで、負荷抵抗が無限大になると、出力インピーダンスは内部抵抗そのものの10Kになります。この例だと、出力インピーダンスが倍になってしまいます。
以上のように、μフォロワの回路の特性上、負荷が無限大になって出力インピーダンスが大きくなってしまう（！）ので、対策としてはＦＥＴの入力容量を小さくするしかありません。。。（汗
VISHAY IRF610 (Ciss=140pF)なら、International Rectifier IRLI520NPBF (Ciss=440pF)の１／３倍くらいなので単純に高域カットオフ周波数が３倍になるハズです。
最近のアンプでは、秋月で購入できるフルモールドパッケージという事で、利便性の良いＦＥＴ (International Rectifier IRLI520NPBF) をわざわざ優先して採用している訳ですので、高域がちょっと落ちるのはご勘弁ください。。。（滝汗
（ なんじゃそりゃ。。。(^_^; ）
オシロスコープの波形を見ると、以前に製作した、
JJ ECC802S真空管ハイブリッドヘッドフォンアンプ で計測した波形
http://valvolerosso.asablo.jp/blog/2014/01/19/7197869
よりも、高域が落ちてるようです。
波形のカタチが、
JJ ECC802S 100kHz → 1626 50kHz
JJ ECC802S 70kHz → 1626 30kHz
みたいな雰囲気ですので、ざっくり言って高域のカットオフ周波数が半分になってるイメージでしょうか？
この原因は、μフォロワによって負荷抵抗値が無限大になった事により、出力インピーダンスが大きくなった為と推察されます。
例えば、真空管の内部抵抗が10Kで、負荷抵抗が10Kなら、出力インピーダンスは5Kですけど、内部抵抗が10Kで、負荷抵抗が無限大になると、出力インピーダンスは内部抵抗そのものの10Kになります。この例だと、出力インピーダンスが倍になってしまいます。
以上のように、μフォロワの回路の特性上、負荷が無限大になって出力インピーダンスが大きくなってしまう（！）ので、対策としてはＦＥＴの入力容量を小さくするしかありません。。。（汗
VISHAY IRF610 (Ciss=140pF)なら、International Rectifier IRLI520NPBF (Ciss=440pF)の１／３倍くらいなので単純に高域カットオフ周波数が３倍になるハズです。
最近のアンプでは、秋月で購入できるフルモールドパッケージという事で、利便性の良いＦＥＴ (International Rectifier IRLI520NPBF) をわざわざ優先して採用している訳ですので、高域がちょっと落ちるのはご勘弁ください。。。（滝汗
（ なんじゃそりゃ。。。(^_^; ）
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